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11.
12.
陀螺稳定平台视轴稳定系统自适应模糊PID控制 总被引:2,自引:0,他引:2
在运动载体上的光电跟踪系统中,需要采用建立在陀螺稳定平台上的视轴稳定控制。分析了平台结构和惯性稳定隔离原理。针对系统机械谐振、力矩耦合及电气参数波动等非线性不确定因素的影响,设计了复合自适应模糊PID控制器。引入自适应调整因子进行控制规则和参数的在线修正,采用复合控制克服模糊控制固有的盲区,实现无差调节。在光电跟踪转台上的实验结果显示该方法能够有效地隔离载体扰动,减小扰动造成的误差,保证视轴对目标的准确瞄准,具有快速的动态响应和较强的抗干扰性。 相似文献
13.
14.
JI Lei* LI Shu-suo HAN Ya-fang JIANG Li-wu School of Materials Science Engineering Beijing University of Aeronautics Astronautics Beijing China 《中国航空学报》2006,19(Z1)
The thermal fatigue behavior of Ni3Al based superalloy IC6E during the cycles between 900 ℃/1 000 ℃ and the room tempera-ture was investigated. The experimental results indicate that the primary and secondary thermal fatigue cracks initiate inside or round the borides and then spread away along grain boundaries and/or in interdendritic areas. The fracture of borides and their separation from the matrix at interfaces are mainly responsible for the crack initiation and its spreading. At temperatures higher than 1 000 ℃, the grain boundary oxidation combined with cyclic stresses accelerates the crack growth. 相似文献
15.
为获得关于对转叶轮机共性问题的认识,在回顾对转叶轮机发展之后,采用速度三角形方法分析了“对转”造成的气流预旋范围和变工况运行方面的技术挑战。分析表明:除带来更严峻的噪音、振动及高周疲劳问题外,对转叶轮机还将面临气流预旋范围受限、变工况运行更加复杂两个挑战。使用对转叶轮机方案前提条件是对转导致的气流预旋范围能满足总体循环提出的要求;对转叶轮机设计时尽量选取低转速比、低流量系数;对大转速比、高流量系数对转叶轮机,应尽量使前排出口相对气流角β1<40°~50°,否则,对于对转风扇/压气机就只有改变下游叶片安装角;有时需要采用可调叶片以应对对转风扇/压气机变转速变工况问题。研究结果将直接用于判断对转叶轮机适用性及确定对转叶轮机基本设计参数选取原则和范围。 相似文献
16.
为实施裕度定制,本文开发了能够体现裕度定制思想的轴流压气机二维特性预估方法。精细考虑了前后缘形状、最大弯度位置等,尤其是通过考虑叶片力而全面包含掠影响是本方法的重要特色。为初步验证本方法,对NASA37和NASA67转子进行了性能预估并与试验结果进行了对比。结果表明,本方法基本可靠,可以用于裕度定制目的。 相似文献
17.
讨论了目前舰舰导弹武器系统作战效能评估中的几点不足,提出了用多因素模糊评估的方法评估舰舰导弹武器系统的综合作战效能。首先,给出了多因素模糊评估模型,包括确定评估因素指标集和加权相对偏差距离最小法的评估步骤;其次,通过对具有典型意义的5种舰舰导弹武器系统的综合作战效能进行多因素模糊评估,给出了应用示例,并对评估模型进行了分析,得出结论。 相似文献
18.
19.
为了解决先进飞机电气系统中用电终端负载的管理和控制问题,提出了基于TMS320F2812数字信号处理器的以通用终端模块为核心的电气系统测控平台设计;论述了主要硬件选择的依据,并说明了具体信号采集电路的构成.同时,采用实时多任务系统μC/OS-Ⅱ作为本次设计中的操作系统;利用CPLD实现了系统I/O端口的扩展;并结合2812对信号的快速处理能力,确保了整个系统的可靠性和实时性. 相似文献
20.
以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献